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1N3015B

产品描述Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小465KB,共5页
制造商Central Semiconductor
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1N3015B概述

Zener Diode, 200V V(Z), 5%, 10W, Silicon, Unidirectional, DO-4, HERMETIC SEALED, METAL PACKAGE-1

1N3015B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-4
包装说明O-MUPM-D1
针数1
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗300 Ω
JEDEC-95代码DO-4
JESD-30 代码O-MUPM-D1
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量1
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散10 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压200 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最大电压容差5%
工作测试电流12 mA
Base Number Matches1

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