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1N5399SA0G

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小193KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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1N5399SA0G概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-204AL, DO-41, 2 PIN

1N5399SA0G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-PALF-W2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压1000 V
最大反向电流5 µA
表面贴装NO
端子面层PURE TIN
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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