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1N5647A

产品描述1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小58KB,共1页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
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1N5647A概述

1500W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-13, METAL PACKAGE-2

1N5647A规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ST(意法半导体)
包装说明METAL PACKAGE-2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最大击穿电压41 V
最小击穿电压37.1 V
击穿电压标称值39 V
最大钳位电压53.9 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-13
JESD-30 代码O-MALF-W2
JESD-609代码e0
最大非重复峰值反向功率耗散1500 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散5 W
最大重复峰值反向电压33.3 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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