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1N5826E3

产品描述Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 20V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小124KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N5826E3概述

Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 20V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN

1N5826E3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Microsemi
包装说明DO-4, 1 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性REVERSE ENERGY TESTED
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-203AA
JESD-30 代码O-MUPM-D1
最大非重复峰值正向电流600 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流15 A
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式POST/STUD MOUNT
最大重复峰值反向电压20 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式SOLDER LUG
端子位置UPPER
Base Number Matches1

1N5826E3相似产品对比

1N5826E3 4116T-2-2521DA H1505CA2803DHW-TR
描述 Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 15A, 20V V(RRM), Silicon, DO-203AA, DO-4, 1 PIN Array/Network Resistor, Bussed, Thin Film, 2.25W, 50V, 0.5% +/-Tol, 100ppm/Cel, Surface Mount, 2687, DIP Fixed Resistor, Thin Film, 0.35W, 280000ohm, 125V, 0.5% +/-Tol, -50,50ppm/Cel, 1505,
Reach Compliance Code compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
端子数量 1 16 2
最高工作温度 150 °C 125 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C -65 °C
技术 SCHOTTKY THIN FILM THIN FILM
包装说明 DO-4, 1 PIN DIP -
元件数量 1 15 -
封装形状 ROUND RECTANGULAR PACKAGE -
封装形式 POST/STUD MOUNT - SMT
表面贴装 NO YES -
是否Rohs认证 - 不符合 符合
Objectid - 1989291201 930846343
JESD-609代码 - e0 e4
额定功率耗散 (P) - 2.25 W 0.35 W
电阻器类型 - ARRAY/NETWORK RESISTOR FIXED RESISTOR
尺寸代码 - 2687 1505
温度系数 - 100 ppm/°C 50 ppm/°C
端子面层 - Tin/Lead (Sn/Pb) Gold (Au)
容差 - 0.5% 0.5%
工作电压 - 50 V 125 V
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