RNR60E2640BM,RNR60E2640BM pdf中文资料,RNR60E2640BM引脚图,RNR60E2640BM电路-Datasheet-电子工程世界

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RNR60E2640BM: 产品描述RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED; 产品类别无源元件电阻器; 文件大小90KB，共4页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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RNR60E2640BM概述

RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED

RNR60E2640BM规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
Objectid	2072253678
包装说明	Axial,
Reach Compliance Code	compliant
Country Of Origin	USA
ECCN代码	EAR99
YTEOL	6.95
其他特性	PRECISION
构造	Hermetically Sealed
JESD-609代码	e0
引线直径	0.635 mm
引线长度	38.1 mm
制造商序列号	RNR
安装特点	THROUGH HOLE MOUNT
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装直径	3.18 mm
封装长度	9.53 mm
封装形状	TUBULAR PACKAGE
封装形式	Axial
额定功率耗散 (P)	0.125 W
额定温度	125 °C
参考标准	MIL-PRF-55182
电阻	264 Ω
电阻器类型	FIXED RESISTOR
系列	HDN (MIL RNR/RNN)
表面贴装	NO
技术	METAL FILM
温度系数	25 ppm/°C
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形状	WIRE
容差	0.1%
工作电压	250 V

RNR60E2640BM相似产品对比

	RNR60E2640BM	VN2010L-2TA	VN2010L18	VN2010L18-2	VN2010L18-1	VN2010L-1TR1	RNR60E2640BSBSL	RNR60E2640BSRJ7
描述	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	190mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 264ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
包装说明	Axial,	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	AXIAL LEADED	Axial,
Reach Compliance Code	compliant	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	not_compliant	compliant
端子数量	2	3	3	3	3	3	2	2
最高工作温度	175 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	175 °C	175 °C
封装形式	Axial	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	Axial	Axial
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
封装形状	TUBULAR PACKAGE	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	-	-
配置	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-
最小漏源击穿电压	-	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	-	-
最大漏极电流 (ID)	-	0.19 A	0.19 A	0.19 A	0.19 A	0.19 A	-	-
最大漏源导通电阻	-	10 Ω	10 Ω	10 Ω	10 Ω	10 Ω	-	-
FET 技术	-	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-
最大反馈电容 (Crss)	-	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	-	-
JEDEC-95代码	-	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	-	-
JESD-30 代码	-	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	-	-
元件数量	-	1	1	1	1	1	-	-
工作模式	-	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-
封装主体材料	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-
极性/信道类型	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-
认证状态	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-
端子形式	-	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-
端子位置	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	-
晶体管元件材料	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-
Base Number Matches	-	1	1	1	1	1	-	-

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