VN2010L18,VN2010L18 pdf中文资料,VN2010L18引脚图,VN2010L18电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> VN2010L18

VN2010L18: 产品描述190mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小42KB，共2页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com

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VN2010L18概述

190mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA

VN2010L18规格参数

参数名称	属性值
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code	unknow
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	200 V
最大漏极电流 (ID)	0.19 A
最大漏源导通电阻	10 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	15 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA
JESD-30 代码	O-PBCY-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL
极性/信道类型	N-CHANNEL
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	BOTTOM
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

VN2010L18相似产品对比

	VN2010L18	VN2010L-2TA	VN2010L18-2	VN2010L18-1	VN2010L-1TR1	RNR60E2640BM	RNR60E2640BSBSL	RNR60E2640BSRJ7
描述	190mA, 200V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.19A I(D), 200V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED	Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 264ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 25ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED	RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 25 ppm, 264 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3	Axial,	AXIAL LEADED	Axial,
Reach Compliance Code	unknow	unknow	unknow	unknow	unknow	compliant	not_compliant	compliant
端子数量	3	3	3	3	3	2	2	2
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C	175 °C	175 °C	175 °C
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL	Axial	Axial	Axial
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	-	-
最小漏源击穿电压	200 V	200 V	200 V	200 V	200 V	-	-	-
最大漏极电流 (ID)	0.19 A	0.19 A	0.19 A	0.19 A	0.19 A	-	-	-
最大漏源导通电阻	10 Ω	10 Ω	10 Ω	10 Ω	10 Ω	-	-	-
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	-	-	-
最大反馈电容 (Crss)	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	15 pF	-	-	-
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	TO-226AA	-	-	-
JESD-30 代码	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	O-PBCY-T3	-	-	-
元件数量	1	1	1	1	1	-	-	-
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	-	-	-
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	-	-
封装形状	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	ROUND	TUBULAR PACKAGE	-	-
极性/信道类型	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL	-	-	-
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	-	-	-
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	-	-	-
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	-	-	-
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	-	-	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99

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