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IS62C1024L-35W

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
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文件大小223KB,共8页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
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IS62C1024L-35W概述

Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

IS62C1024L-35W规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数32
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDIP-T32
JESD-609代码e0
长度41.91 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.572 mm
最大待机电流0.00025 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
Base Number Matches1

IS62C1024L-35W相似产品对比

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描述 Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 DIP, DIP32,.6 DIP, DIP32,.6 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数 32 32 32 32 32 32 32 32
Reach Compliance Code compliant compli not_compliant not_compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 35 ns 45 ns 70 ns 70 ns 55 ns 55 ns 45 ns 35 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32 R-PDIP-T32
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
长度 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm 41.91 mm
内存密度 1048576 bit 1048576 bi 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit 1048576 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 8 8 8 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 32 32 32 32 32 32 32 32
字数 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words 131072 words
字数代码 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000 128000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C 70 °C 85 °C
组织 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8 128KX8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 YES YES YES YES YES YES YES YES
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6 DIP32,.6
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm 4.572 mm
最大待机电流 0.00025 A 0.0004 A 0.00025 A 0.0004 A 0.00025 A 0.0004 A 0.00025 A 0.0004 A
最小待机电流 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V 2 V
最大压摆率 0.1 mA 0.1 mA 0.07 mA 0.08 mA 0.08 mA 0.09 mA 0.09 mA 0.11 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL COMMERCIAL INDUSTRIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm 15.24 mm
厂商名称 Integrated Silicon Solution ( ISSI ) - Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI ) Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Is Samacsys N - N N N N N -
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1 1 -
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