IS62C1024L-55W概述

Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32

IS62C1024L-55W规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码	DIP
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数	32
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0
长度	41.91 mm
内存密度	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
功能数量	1
端口数量	1
端子数量	32
字数	131072 words
字数代码	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	128KX8
输出特性	3-STATE
可输出	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm
最大待机电流	0.00025 A
最小待机电流	2 V
最大压摆率	0.08 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm
Base Number Matches	1

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IS62C1024L-55W相似产品对比

	IS62C1024L-55W	IS62C1024L-45WI	IS62C1024L-70W	IS62C1024L-70WI	IS62C1024L-55WI	IS62C1024L-35W	IS62C1024L-45W	IS62C1024L-35WI
描述	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 45ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	Standard SRAM, 128KX8, 35ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
包装说明	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	DIP, DIP32,.6	DIP, DIP32,.6	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32	0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32
针数	32	32	32	32	32	32	32	32
Reach Compliance Code	compliant	compli	not_compliant	not_compliant	compliant	compliant	compliant	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	55 ns	45 ns	70 ns	70 ns	55 ns	35 ns	45 ns	35 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32	R-PDIP-T32
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm	41.91 mm
内存密度	1048576 bit	1048576 bi	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit	1048576 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	32	32	32	32	32	32	32	32
字数	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words	131072 words
字数代码	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000	128000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	85 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C
组织	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8	128KX8
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
可输出	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6	DIP32,.6
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm	4.572 mm
最大待机电流	0.00025 A	0.0004 A	0.00025 A	0.0004 A	0.0004 A	0.00025 A	0.00025 A	0.0004 A
最小待机电流	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V	2 V
最大压摆率	0.08 mA	0.1 mA	0.07 mA	0.08 mA	0.09 mA	0.1 mA	0.09 mA	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
宽度	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm	15.24 mm
厂商名称	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	-	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )	Integrated Silicon Solution ( ISSI )
Is Samacsys	N	-	N	N	N	N	N	-
Base Number Matches	1	1	1	1	1	1	1	-

IS62C1024L-55W

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IS62C1024L-55W规格参数

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