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IRGR3B60KD2TRR: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小308KB，共14页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRGR3B60KD2TRR概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

IRGR3B60KD2TRR规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3
Reach Compliance Code	compliant
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	7.8 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	105 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	52 W
认证状态	Not Qualified
最大上升时间（tr）	22 ns
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	211 ns
标称接通时间 (ton)	35 ns
Base Number Matches	1

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PD - 95036

IRGR3B60KD2PbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

CES

= 600V

= 4.2A, T

=100°C

> 10µs, T

=150°C

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

n-channel

CE(on)

typ. = 1.9V

D-Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

CES

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ Tc = 25°C

@ Tc = 100°C

@ T

= 25°C

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

Max.

600

7.8

4.2

15.6

6.0

3.2

15.6

±20

-55 to +150

Units

Diode Continous Forward Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

@ T

= 100°C Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature Range, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case- IGBT

Junction-to-Case- Diode

Junction-to-Ambient, (PCB Mount)

Weight

Min.

–––

Typ.

–––

0.3

Max.

2.4

8.8

–––

Units

°C/W

–––

www.irf.com

2/23/04

IRGR3B60KD2TRR相似产品对比

	IRGR3B60KD2TRR	KBPC25	IRGR3B60KD2TRRPBF	IRGR3B60KD2TRPBF	IRGR3B60KD2TRLPBF
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	25A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3
是否Rohs认证	不符合	-	符合	符合	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	-	LEAD FREE, DPAK-3	LEAD FREE, DPAK-3	LEAD FREE, DPAK-3
针数	3	-	3	3	3
Reach Compliance Code	compliant	-	unknown	unknown	unknown
Is Samacsys	N	-	N	N	N
最大集电极电流 (IC)	7.8 A	-	7.8 A	7.8 A	7.8 A
集电极-发射极最大电压	600 V	-	600 V	600 V	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	105 ns	-	105 ns	105 ns	105 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	-	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e0	-	e3	e3	e3
湿度敏感等级	1	-	1	1	1
元件数量	1	-	1	1	1
端子数量	2	-	2	2	2
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	245	-	260	260	260
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	52 W	-	52 W	52 W	52 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	22 ns	-	22 ns	22 ns	22 ns
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	30	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL	-	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	211 ns	-	211 ns	211 ns	211 ns
标称接通时间 (ton)	35 ns	-	35 ns	35 ns	35 ns
Base Number Matches	1	-	1	1	1
是否无铅	-	-	不含铅	不含铅	不含铅

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