Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> IRGR3B60KD2TRPBF

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IRGR3B60KD2TRPBF: 产品描述Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小308KB，共14页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/; 标准

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IRGR3B60KD2TRPBF概述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

IRGR3B60KD2TRPBF规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA
包装说明	LEAD FREE, DPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	unknown
Is Samacsys	N
最大集电极电流 (IC)	7.8 A
集电极-发射极最大电压	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	105 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	52 W
认证状态	Not Qualified
最大上升时间（tr）	22 ns
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON
标称断开时间 (toff)	211 ns
标称接通时间 (ton)	35 ns
Base Number Matches	1

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PD - 95036

IRGR3B60KD2PbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

CES

= 600V

= 4.2A, T

=100°C

> 10µs, T

=150°C

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

n-channel

CE(on)

typ. = 1.9V

D-Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

CES

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

@ Tc = 25°C

@ Tc = 100°C

@ T

= 25°C

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

Max.

600

7.8

4.2

15.6

6.0

3.2

15.6

±20

-55 to +150

Units

Diode Continous Forward Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

Maximum Power Dissipation

@ T

= 100°C Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature Range, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

θJC

θJA

Junction-to-Case- IGBT

Junction-to-Case- Diode

Junction-to-Ambient, (PCB Mount)

Weight

Min.

–––

Typ.

–––

0.3

Max.

2.4

8.8

–––

Units

°C/W

–––

www.irf.com

2/23/04

IRGR3B60KD2TRPBF相似产品对比

	IRGR3B60KD2TRPBF	KBPC25	IRGR3B60KD2TRRPBF	IRGR3B60KD2TRLPBF	IRGR3B60KD2TRR
描述	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	25A GLASS PASSIVATED SINGLE-PHASE BRIDGE RECTIFIER	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
是否无铅	不含铅	-	不含铅	不含铅	-
是否Rohs认证	符合	-	符合	符合	不符合
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	-	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
包装说明	LEAD FREE, DPAK-3	-	LEAD FREE, DPAK-3	LEAD FREE, DPAK-3	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数	3	-	3	3	3
Reach Compliance Code	unknown	-	unknown	unknown	compliant
Is Samacsys	N	-	N	N	N
最大集电极电流 (IC)	7.8 A	-	7.8 A	7.8 A	7.8 A
集电极-发射极最大电压	600 V	-	600 V	600 V	600 V
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	-	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）	105 ns	-	105 ns	105 ns	105 ns
门极发射器阈值电压最大值	5.5 V	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V
门极-发射极最大电压	20 V	-	20 V	20 V	20 V
JEDEC-95代码	TO-252AA	-	TO-252AA	TO-252AA	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2	-	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3	-	e3	e3	e0
湿度敏感等级	1	-	1	1	1
元件数量	1	-	1	1	1
端子数量	2	-	2	2	2
最高工作温度	150 °C	-	150 °C	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260	-	260	260	245
极性/信道类型	N-CHANNEL	-	N-CHANNEL	N-CHANNEL	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)	52 W	-	52 W	52 W	52 W
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大上升时间（tr）	22 ns	-	22 ns	22 ns	22 ns
表面贴装	YES	-	YES	YES	YES
端子面层	MATTE TIN OVER NICKEL	-	MATTE TIN OVER NICKEL	MATTE TIN OVER NICKEL	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	-	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子位置	SINGLE	-	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	30	30	30
晶体管应用	MOTOR CONTROL	-	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON
标称断开时间 (toff)	211 ns	-	211 ns	211 ns	211 ns
标称接通时间 (ton)	35 ns	-	35 ns	35 ns	35 ns
Base Number Matches	1	-	1	1	1

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