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FMS2020-001SQ

产品描述Diversity Switch, 1000MHz Min, 6000MHz Max, 0.75dB Insertion Loss-Max, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, QFN-12
产品类别无线/射频/通信    射频和微波   
文件大小391KB,共6页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
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FMS2020-001SQ概述

Diversity Switch, 1000MHz Min, 6000MHz Max, 0.75dB Insertion Loss-Max, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, QFN-12

FMS2020-001SQ规格参数

参数名称属性值
厂商名称Qorvo
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性HIGH ISOLATION
特性阻抗50 Ω
构造COMPONENT
最大输入功率 (CW)41 dBm
最大插入损耗0.75 dB
JESD-609代码e3
最大工作频率6000 MHz
最小工作频率1000 MHz
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
射频/微波设备类型DIVERSITY SWITCH
端子面层MATTE TIN
Base Number Matches1

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FMS2020-001
10W GaAs
Wideband
SPDT Switch
FMS2020-001
10W GaAs WIDEBAND SPDT SWITCH
Package: 3mmx3mm QFN
NOT FOR NEW DESIGNS
Product Description
The FMS2020-001 is a 10-Watt, low loss, single-pole, dual-throw, Gallium Arsenide
antenna switch. The die is fabricated using the RFMD FL05 0.5μm switch process
technology, which offers leading edge performance optimized for switch applica-
tions. The FMS2020-001 is designed for use in WiMax, L-, S-, and C-band wireless
applications and WLAN access points where high linearity switching is required.
Features
High Isolation: 25dB Typ. at
2.5GHz
Low Insertion Loss: 0.5dB
Typ. at 2.5GHz
Low Insertion Loss: 1.0dB
Typ. at 6GHz
P
1dB
42dBm at 5GHz
Optimum Technology
Matching® Applied
GaAs HBT
GaAs MESFET
InGaP HBT
SiGe BiCMOS
Si BiCMOS
SiGe HBT
GaAs pHEMT
Si CMOS
Si BJT
GaN HEMT
InP HBT
RF MEMS
LDMOS
ANT
V1
DE
RF2
RF1
FO
R
Parameter
Insertion Loss
NE
Min.
Specification
Typ.
0.4
0.6
0.75
18
16
29
25
18
41
39.5
38.5
>42
40.5
Δ0.5
>69
>66
-74
-77
<300
<800
1.5
W
Unit
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dBm
dBm
dBm
dBm
dBm
%
dBm
dBm
dBc
dBc
ns
ns
3
μA
Max.
0.5
0.75
Electrical Specifications
NO
T
Return Loss
Isolation
27
22
P
IN
at 0.1dB Compression Point
P
IN
at 0.5dB Compression Point
EVM (Contribution Due to Switch)
OIP3
2nd Harmonic Level
3rd Harmonic Level
Switching Speed: T
RISE
, T
FALL
Switching Speed: T
ON
, T
OFF
Control Current
-69
-70
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.
DS100122
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.
SI
GN
S
V2
1.0GHz
3.5GHz
5.0GHz
0.5GHz to 2.5GHz
2.5GHz to 5.0GHz
1.0GHz
2.5GHz
6.0GHz
1.0GHz
2.5GHz
5.0GHz
2.5GHz
Operates from a Single Posi-
tive Voltage
Less than 10μA Control Cur-
rent at 35dBm Input Power
WiMax
L-, S-, and C-band Digital Cel-
lular
WLAN Applications
Applications
Condition
T
AMBIENT
=25°C, V
CTRL
=0V/2.7V, Z
IN
=Z
OUT
=50Ω
5.0GHz
35dBm at 5GHz (OFDM WLAN 54)
1GHz
2GHz
1GHz, P
IN
=+35dBm, 100% duty cycle
1GHz, P
IN
=+35dBm, 100% duty cycle
10% to 90% RF and 90% to 10% RF
50% control to 90% RF and 50% control to 10%
RF
+20dBm RF input @ 3.8GHz
1 of 6

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描述 Diversity Switch, 1000MHz Min, 6000MHz Max, 0.75dB Insertion Loss-Max, 3 X 3 MM, ROHS COMPLIANT, QFN-12 Fixed Resistor, Metal Film, 0.125W, 2180000ohm, 250V, 0.1% +/-Tol, 50ppm/Cel, Through Hole Mount, AXIAL LEADED RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 50 ppm, 2180000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED RESISTOR, METAL FILM, 0.125 W, 0.1 %, 50 ppm, 2180000 ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED
Reach Compliance Code compliant not_compliant unknown unknown
构造 COMPONENT Tubular Epoxy Coating Epoxy Coating
JESD-609代码 e3 e0 e0 e0
最高工作温度 85 °C 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -40 °C -65 °C -65 °C -65 °C
端子面层 MATTE TIN Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
是否Rohs认证 - 不符合 不符合 不符合
Objectid - 948983750 2043739439 2043739440
包装说明 - AXIAL LEADED Axial, Axial,
Country Of Origin - USA USA USA
ECCN代码 - EAR99 EAR99 EAR99
YTEOL - 6.95 6.95 6.95
引线直径 - 0.64 mm 0.64 mm 0.64 mm
安装特点 - THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT THROUGH HOLE MOUNT
端子数量 - 2 2 2
封装直径 - 2.46 mm 2.46 mm 2.46 mm
封装长度 - 7.11 mm 7.11 mm 7.11 mm
封装形式 - Axial Axial Axial
包装方法 - TR, 7.5 INCH BULK BULK
额定功率耗散 (P) - 0.125 W 0.125 W 0.125 W
额定温度 - 125 °C 125 °C 125 °C
参考标准 - MIL-PRF-55182 MIL-PRF-55182 MIL-PRF-55182
电阻 - 2180000 Ω 2180000 Ω 2180000 Ω
电阻器类型 - FIXED RESISTOR FIXED RESISTOR FIXED RESISTOR
表面贴装 - NO NO NO
技术 - METAL FILM METAL FILM METAL FILM
温度系数 - 50 ppm/°C 50 ppm/°C 50 ppm/°C
端子形状 - WIRE WIRE WIRE
容差 - 0.1% 0.1% 0.1%
工作电压 - 250 V 250 V 250 V
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