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NAND512W3A2BZA6E

产品描述Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
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文件大小952KB,共56页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
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NAND512W3A2BZA6E在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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NAND512W3A2BZA6E概述

Flash, 64MX8, 12000ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63

NAND512W3A2BZA6E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
针数63
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间12000 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B63
JESD-609代码e1
长度11 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量63
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
编程电压3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.05 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度9 mm
Base Number Matches1

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NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
Up to 1 Gbit memory array
Up to 32 Mbit spare area
Cost effective solutions for mass storage
applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
Figure 1. Packages
NAND INTERFACE
TSOP48 12 x 20mm
SUPPLY VOLTAGE
PAGE SIZE
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
BLOCK SIZE
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
PAGE READ / PROGRAM
Random access: 12µs (3V)/15us (1.8V)
(max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 200µs (typ)
Fast page copy without external buffering
HARDWARE DATA PROTECTION
Program/Erase locked during Power
transitions
DATA INTEGRITY
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference software
Hardware simulation models
1/56
COPY BACK PROGRAM MODE
FAST BLOCK ERASE
Block erase time: 2ms (Typ)
RoHS COMPLIANCE
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’
Simple interface with microcontroller
DEVELOPMENT TOOLS
SERIAL NUMBER OPTION
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