电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

NAND512R3A2CZB6F

产品描述Flash, 64MX8, 35ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55
产品类别存储   
文件大小917KB,共57页
制造商Numonyx ( Micron )
官网地址https://www.micron.com
标准
下载文档 详细参数 全文预览

NAND512R3A2CZB6F概述

Flash, 64MX8, 35ns, PBGA55, 8 X 10 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TFBGA-55

NAND512R3A2CZB6F规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Numonyx ( Micron )
零件包装代码BGA
包装说明TFBGA,
针数55
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.1.A
Is SamacsysN
最长访问时间35 ns
JESD-30 代码R-PBGA-B55
长度10 mm
内存密度536870912 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度8
功能数量1
端子数量55
字数67108864 words
字数代码64000000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64MX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TFBGA
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)1.95 V
最小供电电压 (Vsup)1.7 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距0.8 mm
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
类型NAND TYPE
宽度8 mm
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
NAND128-A, NAND256-A
NAND512-A, NAND01G-A
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16)
528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories
FEATURES SUMMARY
HIGH DENSITY NAND FLASH MEMORIES
Up to 1 Gbit memory array
Up to 32 Mbit spare area
Cost effective solutions for mass storage
applications
x8 or x16 bus width
Multiplexed Address/ Data
Pinout compatibility for all densities
1.8V device: V
DD
= 1.7 to 1.95V
3.0V device: V
DD
= 2.7 to 3.6V
Figure 1. Packages
NAND INTERFACE
TSOP48 12 x 20mm
SUPPLY VOLTAGE
PAGE SIZE
x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
x16 device: (256 + 8 spare) Words
x8 device: (16K + 512 spare) Bytes
x16 device: (8K + 256 spare) Words
Random access: 12µs (max)
Sequential access: 50ns (min)
Page program time: 200µs (typ)
Fast page copy without external buffering
USOP48 12 x 17 x 0.65mm
FBGA
BLOCK SIZE
VFBGA55 8 x 10 x 1mm
TFBGA55 8 x 10 x 1.2mm
VFBGA63 9 x 11 x 1mm
TFBGA63 9 x 11 x 1.2mm
PAGE READ / PROGRAM
DATA INTEGRITY
100,000 Program/Erase cycles
10 years Data Retention
Lead-Free Components are Compliant
with the RoHS Directive
Error Correction Code software and
hardware models
Bad Blocks Management and Wear
Leveling algorithms
File System OS Native reference software
Hardware simulation models
COPY BACK PROGRAM MODE
FAST BLOCK ERASE
Block erase time: 2ms (Typ)
RoHS COMPLIANCE
STATUS REGISTER
ELECTRONIC SIGNATURE
CHIP ENABLE ‘DON’T CARE’ OPTION
Simple interface with microcontroller
SERIAL NUMBER OPTION
HARDWARE DATA PROTECTION
Program/Erase locked during Power
transitions
DEVELOPMENT TOOLS
February 2005
1/57
安信可ESP-S3-12K(二)----来个上电
本帖最后由 RCSN 于 2021-12-27 17:55 编辑 环境搭建就不发了,搭建好环境之后。烧录个helloworld,查看下Log信息,顺便开启个psram检测,看下有没有psram。由图可知,安信可这个模块内置了8 ......
RCSN 国产芯片交流
求助WinCE程序内存不足怎么办?
各位老大们,小弟这里有一问题,我是用VS05 C#开发的WinCE程序,因为第一次玩这个,所以不是太懂。 现在情况是:掌机只有10M程序内存留给我,但我程序需要调用外部WS和与SQL连接(调用后内存不 ......
请求权 嵌入式系统
一种LED显示装置的特性
SAS1068EPBGA是家庭中的一员SAS1-XXXX-A设计为OEL显示装置。 SAS1068EPBGA特点:(1)显示模式:被动矩阵;(2)显示颜色:262,144颜色(最高);(3)驱动能力:1/128的占空比;(4)轮廓图:取决于轮廓图的像素 ......
16楼的窗外 模拟电子
9月编程语言排行榜
相比上个月,9月份Tiobe编程语言排行榜Top20变化不大,除了Transact-SQL和VB.NET互换了位置,其它语言都保持原位不动。Tiobe官方评论称,除了Objective-C的冉冉升起,在过去几年里,并没有新的 ......
wstt 编程基础
汽车类 400W、48V 电池输入、12V 输出电源参考设计
TI公司的TIDA-01407是用于汽车的36V-60V输入12V输出的400W汽车电源参考设计,采用增强的相移全桥控制器实现可编延时,从而保证了各种工作条件下零电压开关(ZVS).输出采用同步整流,具有快速瞬态响 ......
alan000345 模拟与混合信号
【Altera soc 体验之旅】+延时链测试以及亚稳态分析1
延时链测试以及亚稳态分析 1.前言 194401 图 1 静态时序分析的超前进位延时链信息 在上一篇(基于超前进位延时链的时间数字转换器)中,使用TimeQuest分析了延时链的cin到cout的延时 ......
xiaomai516 FPGA/CPLD

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 1181  2513  335  2614  1165  39  11  5  28  55 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved