MXLSMBJ36AE3/TR,MXLSMBJ36AE3/TR pdf中文资料,MXLSMBJ36AE3/TR引脚图,MXLSMBJ36AE3/TR电路-Datasheet-电子工程世界

MXLSMBJ36AE3/TR: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN; 产品类别二极管; 文件大小162KB，共4页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com; 标准

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MXLSMBJ36AE3/TR概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 36V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMBJ, 2 PIN

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Microsemi
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Is Samacsys	N
其他特性	HIGH RELIABILITY
最大击穿电压	44.2 V
最小击穿电压	40 V
击穿电压标称值	42.1 V
最大钳位电压	58.1 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	1.38 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	36 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
Base Number Matches	1

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器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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