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FDB2570L86Z

产品描述Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3
产品类别晶体管   
文件大小353KB,共10页
制造商Fairchild
官网地址http://www.fairchildsemi.com/
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FDB2570L86Z概述

Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3

FDB2570L86Z规格参数

参数名称属性值
厂商名称Fairchild
零件包装代码D2PAK
包装说明SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)375 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压150 V
最大漏极电流 (ID)22 A
最大漏源导通电阻0.08 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

FDB2570L86Z相似产品对比

FDB2570L86Z PTN1010K2230DSTF
描述 Power Field-Effect Transistor, 22A I(D), 150V, 0.08ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, D2PAK-3 RESISTOR, THIN FILM, 0.5 W, 0.5 %, 100 ppm, 223 ohm, SURFACE MOUNT, 1010, CHIP, ROHS COMPLIANT
包装说明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 SMT, 1010
Reach Compliance Code unknown compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
端子数量 2 2
最高工作温度 175 °C 155 °C
封装形式 SMALL OUTLINE SMT
表面贴装 YES YES
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