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IRFM064D

产品描述Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA
产品类别晶体管   
文件大小448KB,共8页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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IRFM064D概述

Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.017ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA

IRFM064D规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明FLANGE MOUNT, R-MSFM-P3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
雪崩能效等级(Eas)620 mJ
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)35 A
最大漏极电流 (ID)35 A
最大漏源导通电阻0.017 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码R-MSFM-P3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值250 W
最大功率耗散 (Abs)250 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)380 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)169 ns
最大开启时间(吨)147 ns
Base Number Matches1
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