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59C11-I/J

产品描述128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8
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文件大小265KB,共8页
制造商Microchip(微芯科技)
官网地址https://www.microchip.com
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59C11-I/J概述

128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8

59C11-I/J规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DIP
包装说明CERDIP-8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
其他特性AUTOMATIC WRITE; DATA RETENTION > 40 YEARS
备用内存宽度16
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-GDIP-T8
JESD-609代码e0
内存密度1024 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
功能数量1
端子数量8
字数128 words
字数代码128
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织128X8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
串行总线类型4-WIRE
最大待机电流0.0001 A
最大压摆率0.004 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC)1 ms
写保护SOFTWARE
Base Number Matches1

59C11-I/J相似产品对比

59C11-I/J 59C11-E/J 59C11I/J 59C11E/J 59C11/J
描述 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, CERDIP-8 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8 128 X 8 4-WIRE SERIAL EEPROM, CDIP8, 0.300 INCH, CERDIP-8
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
零件包装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
包装说明 CERDIP-8 CERDIP-8 0.300 INCH, CERDIP-8 0.300 INCH, CERDIP-8 0.300 INCH, CERDIP-8
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code unknown unknown not_compliant not_compliant not_compliant
备用内存宽度 16 16 16 16 16
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8 R-GDIP-T8
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit 1024 bit
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 128 words 128 words 128 words 128 words 128 words
字数代码 128 128 128 128 128
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 125 °C 85 °C 125 °C 70 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -
组织 128X8 128X8 128X8 128X8 128X8
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3 DIP8,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
串行总线类型 4-WIRE 4-WIRE 4-WIRE 4-WIRE 4-WIRE
最大待机电流 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A 0.0001 A
最大压摆率 0.004 mA 0.004 mA 0.004 mA 0.004 mA 0.004 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4 V 4 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL AUTOMOTIVE INDUSTRIAL AUTOMOTIVE COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最长写入周期时间 (tWC) 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms 1 ms
写保护 SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE SOFTWARE
Base Number Matches 1 1 1 1 1
是否无铅 - - 含铅 含铅 含铅
ECCN代码 - - EAR99 EAR99 EAR99
长度 - - 9.8425 mm 9.8425 mm 9.8425 mm
座面最大高度 - - 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
宽度 - - 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm
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