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AGR26045EF

产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2
产品类别晶体管   
文件大小249KB,共10页
制造商AVAGO
官网地址http://www.avagotech.com/
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AGR26045EF概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2

AGR26045EF规格参数

参数名称属性值
厂商名称AVAGO
包装说明FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压65 V
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码R-CDFM-F2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)225
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)117 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

AGR26045EF相似产品对比

AGR26045EF
描述 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, FM-2
厂商名称 AVAGO
包装说明 FLANGE MOUNT, R-CDFM-F2
Reach Compliance Code compliant
ECCN代码 EAR99
Is Samacsys N
其他特性 HIGH RELIABILITY
外壳连接 SOURCE
配置 SINGLE
最小漏源击穿电压 65 V
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码 R-CDFM-F2
JESD-609代码 e0
元件数量 1
端子数量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C
封装主体材料 CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度) 225
极性/信道类型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 117 W
认证状态 Not Qualified
表面贴装 YES
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