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IRF540NSTRPBF

产品描述Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3/2
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小277KB,共11页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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IRF540NSTRPBF概述

Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3/2

IRF540NSTRPBF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明D2PAK-3/2
Reach Compliance Codecompliant
Is SamacsysN
其他特性AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)185 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)33 A
最大漏源导通电阻0.044 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSSO-G2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)110 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

IRF540NSTRPBF相似产品对比

IRF540NSTRPBF IRF540NL
描述 Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3/2 MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
包装说明 D2PAK-3/2 IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code compliant unknown
其他特性 AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas) 185 mJ 185 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 100 V 100 V
最大漏极电流 (ID) 33 A 33 A
最大漏源导通电阻 0.044 Ω 0.044 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSSO-G2 R-PSIP-T3
元件数量 1 1
端子数量 2 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE IN-LINE
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM) 110 A 110 A
表面贴装 YES NO
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON

 
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