MOSFET N-CH 100V 33A TO-262
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 185 mJ |
外壳连接 | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 33 A |
最大漏源导通电阻 | 0.044 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-262AA |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 |
湿度敏感等级 | 1 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 110 A |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
IRF540NL | IRF540NSTRPBF | |
---|---|---|
描述 | MOSFET N-CH 100V 33A TO-262 | Power Field-Effect Transistor, 33A I(D), 100V, 0.044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, D2PAK-3/2 |
厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
包装说明 | IN-LINE, R-PSIP-T3 | D2PAK-3/2 |
Reach Compliance Code | unknown | compliant |
其他特性 | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE | AVALANCHE RATED, ULTRA LOW RESISTANCE |
雪崩能效等级(Eas) | 185 mJ | 185 mJ |
外壳连接 | DRAIN | DRAIN |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 100 V | 100 V |
最大漏极电流 (ID) | 33 A | 33 A |
最大漏源导通电阻 | 0.044 Ω | 0.044 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSIP-T3 | R-PSSO-G2 |
元件数量 | 1 | 1 |
端子数量 | 3 | 2 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 110 A | 110 A |
表面贴装 | NO | YES |
端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING |
端子位置 | SINGLE | SINGLE |
晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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