DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, HALOGEN FREE, MO-224, SODIMM-200
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Micron Technology |
| 零件包装代码 | SODIMM |
| 包装说明 | DIMM, |
| 针数 | 200 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 访问模式 | DUAL BANK PAGE BURST |
| 其他特性 | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码 | R-XDMA-N200 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 67.6 mm |
| 内存密度 | 17179869184 bit |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM MODULE |
| 内存宽度 | 64 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 200 |
| 字数 | 268435456 words |
| 字数代码 | 256000000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 256MX64 |
| 封装主体材料 | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | DIMM |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 30.15 mm |
| 自我刷新 | YES |
| 最大供电电压 (Vsup) | 1.9 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | GOLD |
| 端子形式 | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL |
| 宽度 | 30 mm |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
