Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N752DUR-1

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1N752DUR-1: 产品描述3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小33KB，共2页; 制造商Microsemi; 官网地址https://www.microsemi.com

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1N752DUR-1概述

3 V, 0.5 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

1N752DUR-1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Microsemi
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
二极管类型	ZENER DIODE
JESD-609代码	e0
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches	1

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• 1N746A-1 THRU 1N759-1 AVAILABLE IN

JAN, JANTX

AND

JANTXV

PER MIL-PRF-19500/127

• 1N4370A-1 THRU 1N4372A-1 AVAILABLE IN

JAN, JANTX

AND

JANTXV

PER MIL-PRF-19500/127

• DOUBLE PLUG CONSTRUCTION

• METALLURGICALLY BONDED

1N746

thru

1N759A

and

1N746A-1

thru

1N759A-1

and

1N4370

thru

1N4372A

and

1N4370A-1

thru

1N4372A-1

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

DC Power Dissipation: 500 mW @ +50°C

Power Derating: 4 mW / °C above +50°C

Forward Voltage @ 200mA: 1.1 volts maximum

ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25°C

JEDEC

TYPE

NUMBER

(NOTE 1)

NOMINAL

ZENER

VOLTAGE

VZ @ 1ZT

(NOTE 2)

VOLTS

1N4370A

1N4371A

1N4372A

1N746A

1N747A

1N748A

1N749A

1N750A

1N751A

1N752A

1N753A

1N754A

1N755A

1N756A

1N757A

1N758A

1N759A

2.4

2.7

3.0

3.3

3.6

3.9

4.3

4.7

5.1

5.6

6.2

6.8

7.5

8.2

9.1

10.0

12.0

ZENER

TEST

CURRENT

1ZT

MAXIMUM

ZENER

IMPEDANCE

(NOTE 3)

ZZT@ 1ZT

OHMS

MAXIMUM

REVERSE CURRENT

IR@ VR

MAXIMUM

ZENER

CURRENT

VOLTS

1.0

1.5

2.0

2.5

3.5

4.0

5.0

6.0

7.0

8.0

9.0

155

140

125

120

110

100

FIGURE 1

DESIGN DATA

CASE:

Hermetically sealed glass

case. DO – 35 outline.

LEAD MATERIAL:

Copper clad steel.

LEAD FINISH:

Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

OJEC):

250

C/W maximum at L = .375 inch

THERMAL IMPEDANCE: (Z

OJX): 35

C/W maximum

NOTE 1

NOTE 2

NOTE 3

Zener voltage tolerance on "A" suffix is +5%. No Suffix denotes + 10% tolerance,

"C" suffix denotes + 2% tollerance and "D" suffix denotes + 1% tolerance.

Zener voltage is measured with the device junction in thermal equilibrium at an ambient

temperature of 25°C + 3°C.

Zener impedance is derived by superimposing on 1ZT A 60Hz rms a.c. current equal

to 10% of 1ZT

POLARITY:

Diode to be operated with

the banded (cathode) end positive.

MOUNTING POSITION:

Any.

6 LAKE STREET, LAWRENCE, MASSACHUSETTS 01841

PHONE (978) 620-2600

FAX (978) 689-0803

WEBSITE: http://www.microsemi.com

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