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Datasheet> 器件分类 > 二极管> HZ12B3TD-E

PDF数据手册

HZ12B3TD-E: 产品描述0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35; 产品类别二极管; 文件大小138KB，共6页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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HZ12B3TD-E概述

0.5W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35

HZ12B3TD-E规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
包装说明	O-LALF-W2
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
Is Samacsys	N
外壳连接	ISOLATED
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	ZENER DIODE
JEDEC-95代码	DO-35
JESD-30 代码	O-LALF-W2
JESD-609代码	e2
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	GLASS
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	0.5 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
技术	ZENER
端子面层	TIN COPPER
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
工作测试电流	5 mA
Base Number Matches	1

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