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SI7220DN-T1-E3

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.4A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小560KB,共12页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
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SI7220DN-T1-E3在线购买

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SI7220DN-T1-E3概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.4A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:60mΩ @ 4.8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.3W 类型:双N沟道

SI7220DN-T1-E3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
包装说明SMALL OUTLINE, S-XDSO-C6
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
雪崩能效等级(Eas)6.1 mJ
外壳连接DRAIN
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)3.4 A
最大漏极电流 (ID)3.4 A
最大漏源导通电阻0.06 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码S-XDSO-C6
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2.6 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)20 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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Si7220DN
Vishay Siliconix
Dual N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
60
R
DS(on)
(Ω)
0.060 at V
GS
= 10 V
0.075 at V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
4.8
4.3
Q
g
(Typ.)
13
FEATURES
Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
• TrenchFET
®
Power MOSFET
• New Low Thermal Resistance PowerPAK
®
Package,
1
/
3
the Space of An SO-8 While
Thermally Comparable
APPLICATIONS
PowerPAK 1212-8
• Synchronous Rectification
• Primary Side Switch
3.30 mm
D
1
D
2
3.30 mm
S1
1
2
G1
S2
3
4
D1
G2
8
7
D1
D2
G
1
6
5
D2
G
2
Bottom View
S
1
N-Channel MOSFET
S
2
N-Channel MOSFET
Ordering Information:
Si7220DN-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
Si7220DN-T1-GE3 (Lead (Pb)-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
T
A
= 25 °C, unless otherwise noted
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Continuous Drain Current (T
J
= 150 °C)
a
Pulsed Drain Current
Avalanche Current
Single Avalanche Energy
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
Maximum Power Dissipation
a
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
b, c
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
L = 0 1 mH
T
A
= 25 °C
T
A
= 70 °C
Symbol
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
I
AS
E
AS
I
S
P
D
T
J
, T
stg
2.2
2.6
1.4
- 55 to 150
260
4.8
3.8
20
11
6.1
1.1
1.3
0.69
mJ
A
W
°C
10 s
60
± 20
3.4
2.7
A
Steady State
Unit
V
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Maximum Junction-to-Ambient
a
Maximum Junction-to-Case (Drain)
t
10 s
Steady State
Steady State
Symbol
R
thJA
R
thJC
Typical
38
77
4.3
Maximum
48
94
5.4
°C/W
Unit
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. See Solder Profile (www.vishay.com/ppg?73257). The PowerPAK 1212-8 is a leadless package. The end of the lead terminal is exposed
copper (not plated) as a result of the singulation process in manufacturing. A solder fillet at the exposed copper tip cannot be guaranteed and
is not required to ensure adequate bottom side solder interconnection.
c. Rework Conditions: manual soldering with a soldering iron is not recommended for leadless components.
Document Number: 73117
S-83052-Rev. C, 29-Dec-08
www.vishay.com
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