漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:555mΩ @ 4A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):36W(Tc) 类型:N沟道
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
厂商名称 | Vishay(威世) |
零件包装代码 | TO-220AB |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | AVALANCHE RATED |
雪崩能效等级(Eas) | 180 mJ |
外壳连接 | ISOLATED |
配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A |
最大漏极电流 (ID) | 12 A |
最大漏源导通电阻 | 0.555 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码 | TO-220AB |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 36 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) | 28 A |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
晶体管应用 | SWITCHING |
晶体管元件材料 | SILICON |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved