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SI9926CDY-T1-GE3

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 N沟道,20V,8.2A,20mΩ@4.5V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小120KB,共6页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SI9926CDY-T1-GE3在线购买

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SI9926CDY-T1-GE3概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:1.5V @ 250uA 漏源导通电阻:18mΩ @ 8.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 N沟道,20V,8.2A,20mΩ@4.5V

SI9926CDY-T1-GE3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Vishay(威世)
零件包装代码SOT
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数8
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptionVISHAY - SI9926CDY-T1-GE3 - MOSFET, DUAL, N-CH, 20V, 8A, NSOIC-8
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.018 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)3.1 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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