增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V CMOS 双路微功耗运算放大器
参数名称 | 属性值 |
Brand Name | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC |
包装说明 | SOIC-8 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 2e-7 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA |
最小共模抑制比 | 62 dB |
标称共模抑制比 | 75 dB |
频率补偿 | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.000002 µA |
最大输入失调电压 | 3000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.9 mm |
低-偏置 | YES |
低-失调 | NO |
微功率 | YES |
湿度敏感等级 | 1 |
负供电电压上限 | |
标称负供电电压 (Vsup) | |
功能数量 | 2 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP |
封装等效代码 | SOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
包装方法 | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
功率 | NO |
电源 | 5/15 V |
可编程功率 | NO |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm |
最小摆率 | 0.007 V/us |
标称压摆率 | 0.02 V/us |
最大压摆率 | 0.034 mA |
供电电压上限 | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 1.27 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 100 kHz |
最小电压增益 | 40000 |
宽带 | NO |
宽度 | 3.91 mm |
Base Number Matches | 1 |
LMC6042IM/NOPB | LMC6042IMX/NOPB | LMC6042AIN/NOPB | |
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描述 | 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V CMOS 双路微功耗运算放大器 | 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s | 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s |
Brand Name | Texas Instruments | Texas Instruments | Texas Instruments |
是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | SOIC | SOIC | DIP |
包装说明 | SOIC-8 | SOIC-8 | DIP-8 |
针数 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER | OPERATIONAL AMPLIFIER |
架构 | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK | VOLTAGE-FEEDBACK |
最大平均偏置电流 (IIB) | 2e-7 µA | 2e-7 µA | 2e-7 µA |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 0.000004 µA | 0.000004 µA | 0.000004 µA |
最小共模抑制比 | 62 dB | 62 dB | 62 dB |
标称共模抑制比 | 75 dB | 75 dB | 75 dB |
频率补偿 | YES | YES | YES |
最大输入失调电流 (IIO) | 0.000002 µA | 0.000002 µA | 0.000002 µA |
最大输入失调电压 | 3000 µV | 3000 µV | 3000 µV |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 |
长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | 9.81 mm |
低-偏置 | YES | YES | YES |
低-失调 | NO | NO | NO |
微功率 | YES | YES | YES |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 2 | 2 | 2 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | SOP | SOP | DIP |
封装等效代码 | SOP8,.25 | SOP8,.25 | DIP8,.3 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | IN-LINE |
包装方法 | TUBE | TR | TUBE |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | NOT APPLICABLE |
功率 | NO | NO | NO |
电源 | 5/15 V | 5/15 V | 5/15 V |
可编程功率 | NO | NO | NO |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | 5.08 mm |
最小摆率 | 0.007 V/us | 0.007 V/us | 0.01 V/us |
标称压摆率 | 0.02 V/us | 0.02 V/us | 0.02 V/us |
最大压摆率 | 0.034 mA | 0.034 mA | 0.034 mA |
供电电压上限 | 16 V | 16 V | 16 V |
标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | 5 V |
表面贴装 | YES | YES | NO |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
标称均一增益带宽 | 100 kHz | 100 kHz | 100 kHz |
最小电压增益 | 40000 | 40000 | 60000 |
宽带 | NO | NO | NO |
宽度 | 3.91 mm | 3.91 mm | 6.35 mm |
Base Number Matches | 1 | 1 | 1 |
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