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LMC6042AIN/NOPB

产品描述增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小1MB,共24页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
敬请期待 详细参数 选型对比

LMC6042AIN/NOPB概述

增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s

LMC6042AIN/NOPB规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码DIP
包装说明DIP-8
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)2e-7 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000004 µA
最小共模抑制比62 dB
标称共模抑制比75 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.000002 µA
最大输入失调电压3000 µV
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.81 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率YES
湿度敏感等级1
负供电电压上限
标称负供电电压 (Vsup)
功能数量2
端子数量8
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
包装方法TUBE
峰值回流温度(摄氏度)NOT APPLICABLE
功率NO
电源5/15 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最小摆率0.01 V/us
标称压摆率0.02 V/us
最大压摆率0.034 mA
供电电压上限16 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽100 kHz
最小电压增益60000
宽带NO
宽度6.35 mm
Base Number Matches1

LMC6042AIN/NOPB相似产品对比

LMC6042AIN/NOPB LMC6042IMX/NOPB LMC6042IM/NOPB
描述 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V 双路微功耗,20mV/?s 增益带宽积(GBP):100kHz 放大器组数:2 运放类型:General Purpose 各通道功耗:- 压摆率(SR):0.02 V/us 电源电压:4.5V ~ 15.5V, ±2.25V ~ 7.75V CMOS 双路微功耗运算放大器
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
零件包装代码 DIP SOIC SOIC
包装说明 DIP-8 SOIC-8 SOIC-8
针数 8 8 8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
架构 VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB) 2e-7 µA 2e-7 µA 2e-7 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB) 0.000004 µA 0.000004 µA 0.000004 µA
最小共模抑制比 62 dB 62 dB 62 dB
标称共模抑制比 75 dB 75 dB 75 dB
频率补偿 YES YES YES
最大输入失调电流 (IIO) 0.000002 µA 0.000002 µA 0.000002 µA
最大输入失调电压 3000 µV 3000 µV 3000 µV
JESD-30 代码 R-PDIP-T8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e3 e3 e3
长度 9.81 mm 4.9 mm 4.9 mm
低-偏置 YES YES YES
低-失调 NO NO NO
微功率 YES YES YES
湿度敏感等级 1 1 1
功能数量 2 2 2
端子数量 8 8 8
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 DIP SOP SOP
封装等效代码 DIP8,.3 SOP8,.25 SOP8,.25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
包装方法 TUBE TR TUBE
峰值回流温度(摄氏度) NOT APPLICABLE 260 260
功率 NO NO NO
电源 5/15 V 5/15 V 5/15 V
可编程功率 NO NO NO
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 1.75 mm 1.75 mm
最小摆率 0.01 V/us 0.007 V/us 0.007 V/us
标称压摆率 0.02 V/us 0.02 V/us 0.02 V/us
最大压摆率 0.034 mA 0.034 mA 0.034 mA
供电电压上限 16 V 16 V 16 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 THROUGH-HOLE GULL WING GULL WING
端子节距 2.54 mm 1.27 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 100 kHz 100 kHz 100 kHz
最小电压增益 60000 40000 40000
宽带 NO NO NO
宽度 6.35 mm 3.91 mm 3.91 mm
Base Number Matches 1 1 1

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