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TLV9002IDGKR

产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小5MB,共81页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
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TLV9002IDGKR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明VSSOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Confidence3
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID1227002
Samacsys Pin Count8
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategorySmall Outline Packages
Samacsys Footprint NameTLV9002IDGKR
Samacsys Released Date2019-05-22 13:13:23
Is SamacsysN
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比63 dB
标称共模抑制比77 dB
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码S-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度3.9 mm
湿度敏感等级2
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度)260
座面最大高度1.1 mm
标称压摆率2 V/us
最大压摆率0.15 mA
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽1000 kHz
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

TLV9002IDGKR相似产品对比

TLV9002IDGKR TLV9001IDBVR TLV9002IDR
描述
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
是否无铅 不含铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合 符合
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 VSSOP-8 SOT-23, 5 PIN SOIC-8
Reach Compliance Code compliant compliant compliant
Factory Lead Time 6 weeks 6 weeks 6 weeks
Samacsys Confidence 3 3 4
Samacsys Status Released Released Released
Samacsys PartID 1227002 1491177 1026720
Samacsys Pin Count 8 5 8
Samacsys Part Category Integrated Circuit Integrated Circuit Integrated Circuit
Samacsys Package Category Small Outline Packages SOT23 (5-Pin) Small Outline Packages
Samacsys Footprint Name TLV9002IDGKR DBV0006A D0008A
Samacsys Released Date 2019-05-22 13:13:23 2019-09-27 09:46:05 2018-03-12 22:34:15
Is Samacsys N N N
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比 63 dB 63 dB 63 dB
标称共模抑制比 77 dB 77 dB 77 dB
最大输入失调电压 2000 µV 2000 µV 2000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-G8 R-PDSO-G5 R-PDSO-G8
JESD-609代码 e4 e4 e3
长度 3.9 mm 2.9 mm 4.9 mm
湿度敏感等级 2 1 2
功能数量 2 1 2
端子数量 8 5 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 TSSOP LSSOP SOP
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 260
座面最大高度 1.1 mm 1.45 mm 1.75 mm
标称压摆率 2 V/us 2 V/us 2 V/us
最大压摆率 0.15 mA 0.077 mA 0.15 mA
供电电压上限 6 V 6 V 6 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V
表面贴装 YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子面层 NICKEL PALLADIUM GOLD Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子节距 0.65 mm 0.95 mm 1.27 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽 1000 kHz 1000 kHz 1000 kHz
宽度 3.9 mm 1.6 mm 3.9 mm
Base Number Matches 1 1 1
ECCN代码 EAR99 - EAR99

 
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