1N6642: 产品描述0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小71KB，共2页; 制造商CDI-DIODE; 官网地址http://www.cdi-diodes.com

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1N6642概述

0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N6642规格参数

参数名称	属性值
端子数量	2
元件数量	1
加工封装描述	HERMETIC SEALED, 玻璃 PACKAGE-2
状态	ACTIVE
包装形状	圆
包装尺寸	LONG FORM
端子形式	线
端子涂层	锡铅
端子位置	AXIAL
包装材料	玻璃
结构	单一的
壳体连接	隔离
二极管元件材料	硅
最大功耗极限	0.7500 W
二极管类型	信号二极管
反向恢复时间最大	0.0050 us
最大重复峰值反向电压	75 V
最大平均正向电流	0.3000 A

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• 1N6638,1N6642, 1N6643 AVAILABLE IN

JAN, JANTX, JANTXV,

AND

JANS

PER MIL-PRF-19500/578

• SWITCHING DIODES

• NON-CAVITY GLASS PACKAGE

• METALLURGICALLY BONDED

1N6638

1N6642

1N6643

MAXIMUM RATINGS

Operating Temperature: -65°C to +175°C

Storage Temperature: -65°C to +175°C

Operating Current: 300 mA

Derating: 3.0 mA/°C Above TL = + 75°C @L = 3/8”

Surge Current: I

FSM

= 2.5A, half sine wave, Pw = 8.3ms

0.056/0.075

1.42/1.91

POLARITY

BAND

(CATHODE)

0.140/0.180

3.55/4.57

1.00

25.4

0.018/0.022

0.46/0.56

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

@ 25°C, unless otherwise specified.

V BR

@IR

=100µA

V RWM

V F1

I FM

= 10 mA

(Pulsed)

V dc

0.8

1.0

V dc

1.1

1.2

V F2 @ I F2

t fr

= 50 mA

t rr

TYPES

(Pulsed)

200

100

4.5

5.0

6.0

FIGURE 1

V(PK)

(min)

1N6638

1N6642

1N6643

150

100

V(PK)

125

DESIGN DATA

CASE:

Hermetically sealed, “D” Body

per MIL-PRF- 19500/578. D-5D

LEAD MATERIAL:

Copper clad steel

LEAD FINISH:

Tin / Lead

THERMAL RESISTANCE: (R

OJL): 160

°C/W maximum at L = .375

THERMAL IMPEDANCE: (Z

OJX): 25

°C/W maximum

POLARITY:

Cathode end is banded.

I R1

TYPES

= 20 V

nA dc

I R2

@V R

= V RWM

µA dc

I R3

V R = 20 V

TA = 150°C

µA dc

I R4

V R = V RWM

TA = 150°C

µA dc

C T1

VR=

C T2

VR=

1.5V

1N6638

1N6642

1N6643

0.5

100

160

2.5

5.0

2.0

2.8

MOUNTING POSITION:

Any

22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176

PHONE (781) 665-1071

FAX (781) 665-7379

WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com

E-mail: mail@cdi-diodes.com

1N6642相似产品对比

	1N6642	1N6638	1N6643
描述	0.3 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35	0.2 A, 125 V, SILICON, SIGNAL DIODE	0.1 A, 50 V, SILICON, SIGNAL DIODE

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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