电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

1N646-1

产品描述0.15 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB,共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

1N646-1在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
1N646-1 - - 点击查看 点击购买

1N646-1概述

0.15 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE

1N646-1规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
零件包装代码DO-35
包装说明HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2
针数2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性METALLURGICALLY BONDED
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.4 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

文档预览

下载PDF文档
F
EATURES
1N645-1
1N645-1
AVAILABLE IN
JAN, JANTX, AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
S
ILICON
R
ECTIFIER
M
ETALLURGICALLY
B
ONDED
H
ERMETICALLY
S
EALED
D
OUBLE
P
LUG
C
ONSTRUCTION
M
AXIMUM
R
ATINGS AT
25
°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current A, sine 8.3mS:
Total Power Dissipation:
Operating Current:
-65°C to +175°C
-65°C to +175°C
5.0A
500mW
400mA, T
A
= +25°C
Operating Current:
Derating Factor:
Derating Factor:
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
150mA, T
A
= +150°C
2mA/°C above +25°C
6mA/°C above +150°C
225V
DC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
I
F
mA
Min
V
Max
V
Ambient
(°C)
I
R
V
R
V (dc)
Min
µA
Max
µA
25
150
-55
400
400
400
0.80
0.70
-
1.00
0.95
1.20
25
25
150
225
270(ac)
225
-
-
-
0.050
50
25
D
ESIGN
D
ATA
Case:
Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/240 DO-35 outline
Lead Material:
Copper clad steel
Lead Finish:
Tin/Lead
Thermal Resistance (R
θJL
):
250°C/W maximum
at L=.375”
Thermal Impedance (Z
θJX
):
35°C/W maximum
Marking:
Blue body coat, Black digits.
Polarity:
Cathode end is banded.
AC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS AT
25°C
Symbol
Capacitance
@ V
R
= 4V
pF
Min
-
Max
20
I
RELAND -
G
ORT
R
OAD
,
E
NNIS,
C
O.
C
LARE
PHONE:
TOLL FREE:
FAX:
+353 65 6840044
+186 62 702434
+353 65 6822298
WWW.MICROSEMI.COM
U.S.A. D
OMESTIC
S
ALES
C
ONTACT
PHONE:
TOLL FREE:
(617) 926 0404
1 800 666 2999

1N646-1相似产品对比

1N646-1 RJ11 XC9105D095DR 1N646 1N647 1N648 1N649 JAN1N649-1 JANTXV1N649-1
描述 0.15 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE X Series-Unfiltered Modular RJ Jack Ceramic Capacitor Compatible, Step-up DC/DC Controllers 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
包装说明 HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 - - GLASS PACKAGE-2 O-LALF-W2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2
Reach Compliance Code compli - - unknown not_compliant unknown not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 METALLURGICALLY BONDED - - HIGH RELIABILITY METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED HIGH RELIABILITY METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 - - DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 - - 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 - - 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C - - 175 °C - - 175 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C - - -65 °C - - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.4 A - - 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A
封装主体材料 GLASS - - GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND - - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.5 W - - 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified Qualified
表面贴装 NO - - NO NO NO NO NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - - TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE - - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
是否无铅 - - - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
厂商名称 - - - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
最大重复峰值反向电压 - - - 300 V - 500 V 600 V 600 V 600 V
EEWORLD大学堂----电源设计小贴士17:缓冲反向转换器
电源设计小贴士17:缓冲反向转换器:https://training.eeworld.com.cn/course/494...
dongcuipin 电源技术
全球最新最全的CAD/CAE/CAX/EDA/CFD/GIS/光学/化工/工程/液压软件资源网 (第四部分
TDV产品:TDVRM2004v9.15.031CD(建筑和桥梁工程软件)TDVRmSpaceFrame2004v9.01CD(建筑工程和桥梁工程软件,4维的静态和动态设计分析工具。用于钢筋混凝土和复合结构模型) FE-DESIGN产品:FE ......
rain 测试/测量
怎样能用单片机显示频率 的变化
将变化的频率接到单片机上,怎么样能够通过控制单片机,让LCD显示出频率的变化来?...
小灰灰cxy 51单片机
请问 当某个引脚的开漏输出使能被由1改为0时,这种输出状态和推挽输出有什么区别
请问 当某个引脚的开漏输出使能被由1改为0时,这种输出状态和推挽输出有什么区别 ...
一沙一世 stm32/stm8
正泰电器面试题
今天从别的网站看到了一个貌似很简单的模拟题目,但是好像暗藏玄机啊。 电路为一个电阻和一个电容串联 条件:电阻两端电压30v,电容两端电压50v 求:电阻和电压串联后两端的电压值 出题人 ......
小娜 模拟电子
收集了13张显像管电视机图纸
收集了13张显像管电视机图纸 305156 ...
yjtyjt 综合技术交流

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2200  2686  412  2625  455  45  55  9  53  10 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved