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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> 1N646
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1N646

产品描述0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小66KB，共1页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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1N646概述

0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N646规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
包装说明GLASS PACKAGE-2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码DO-35
JESD-30 代码O-LALF-W2
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流0.4 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.6 W
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压300 V
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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F
EATURES
1N645-1
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1N645-1
AVAILABLE IN
JAN, JANTX, AND JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
S
ILICON
R
ECTIFIER
M
ETALLURGICALLY
B
ONDED
H
ERMETICALLY
S
EALED
D
OUBLE
P
LUG
C
ONSTRUCTION
M
AXIMUM
R
ATINGS AT
25
°C
Operating Temperature:
Storage Temperature:
Surge Current A, sine 8.3mS:
Total Power Dissipation:
Operating Current:
-65°C to +175°C
-65°C to +175°C
5.0A
500mW
400mA, T
A
= +25°C
Operating Current:
Derating Factor:
Derating Factor:
D.C. Reverse Voltage (VRWM):
150mA, T
A
= +150°C
2mA/°C above +25°C
6mA/°C above +150°C
225V
DC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS
V
F
Ambient
(°C)
I
F
mA
Min
V
Max
V
Ambient
(°C)
I
R
V
R
V (dc)
Min
µA
Max
µA
25
150
-55
400
400
400
0.80
0.70
-
1.00
0.95
1.20
25
25
150
225
270(ac)
225
-
-
-
0.050
50
25
D
ESIGN
D
ATA
Case:
Hermetically sealed glass package per MIL-
PRF-19500/240 DO-35 outline
Lead Material:
Copper clad steel
Lead Finish:
Tin/Lead
Thermal Resistance (R
θJL
):
250°C/W maximum
at L=.375”
Thermal Impedance (Z
θJX
):
35°C/W maximum
Marking:
Blue body coat, Black digits.
Polarity:
Cathode end is banded.
AC E
LECTRICAL
C
HARACTERISTICS AT
25°C
Symbol
Capacitance
@ V
R
= 4V
pF
Min
-
Max
20
I
RELAND -
G
ORT
R
OAD
,
E
NNIS,
C
O.
C
LARE
PHONE:
TOLL FREE:
FAX:
+353 65 6840044
+186 62 702434
+353 65 6822298
WWW.MICROSEMI.COM
U.S.A. D
OMESTIC
S
ALES
C
ONTACT
PHONE:
TOLL FREE:
(617) 926 0404
1 800 666 2999

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1N646 RJ11 XC9105D095DR 1N646-1 1N647 1N648 1N649 JAN1N649-1 JANTXV1N649-1
描述 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 X Series-Unfiltered Modular RJ Jack Ceramic Capacitor Compatible, Step-up DC/DC Controllers 0.15 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 0.4 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-7 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35 DIODE GEN PURP 600V 400MA DO35
是否无铅 含铅 - - - 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 - - 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi - - - Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
包装说明 GLASS PACKAGE-2 - - HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2 O-LALF-W2 GLASS PACKAGE-2 GLASS PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2 HERMETIC SEALED, MICRO MINIATURE, GLASS, C PACKAGE-2
Reach Compliance Code unknown - - compli not_compliant unknown not_compliant not_compliant compliant
ECCN代码 EAR99 - - EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
其他特性 HIGH RELIABILITY - - METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED HIGH RELIABILITY METALLURGICALLY BONDED METALLURGICALLY BONDED
外壳连接 ISOLATED - - ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE - - SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON - - SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - - RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 DO-35 - - DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35 DO-35
JESD-30 代码 O-LALF-W2 - - O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
JESD-609代码 e0 - - e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 - - 1 1 1 1 1 1
端子数量 2 - - 2 2 2 2 2 2
最高工作温度 175 °C - - 175 °C - - 175 °C 150 °C 150 °C
最低工作温度 -65 °C - - -55 °C - - -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 0.4 A - - 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A 0.4 A
封装主体材料 GLASS - - GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND - - ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM - - LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.6 W - - 0.5 W 0.6 W 0.6 W 0.6 W 0.5 W 0.5 W
认证状态 Not Qualified - - Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Qualified Qualified
最大重复峰值反向电压 300 V - - - - 500 V 600 V 600 V 600 V
表面贴装 NO - - NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD - - Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn63Pb37) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 WIRE - - WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL - - AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED

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