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1N645-1

产品描述0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小68KB,共2页
制造商CDI-DIODE
官网地址http://www.cdi-diodes.com
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1N645-1概述

0.15 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

1N645-1规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
加工封装描述SIMILAR TO DO-35, 2 PIN
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料UNSPECIFIED
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
最大平均正向电流0.1500 A

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• AVAILABLE IN
JAN, JANTX,
AND
JANTXV
PER MIL-PRF-19500/240
• SILICON RECTIFIER
• METALLURGICALLY BONDED
1N645-1
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
Operating Current: 400 mA @ 25°C
150 mA @ 150°C
Derating: 2.0 mA/°C From 25°C to 150°C
6.0 mA/°C From 150°C to 175°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
TYPE
VRSM
V RWM
I FSM
TP = 1/120 s
TA = 25°C
A
5
VF
@400mA
CAP @
V R = 4V
V (pk)
1N645-1
270
V (pk)
225
V DC
0.8 - 1.0
pF
20
FIGURE 1
TYPE
I R1 at V RWM I R2 at V RWM I R3 at V RSM
TA = 25°C
TA = 150°C
TA = 25°C
µA
1N645-1
0.05
µA
25
µA
50
DESIGN DATA
CASE:
Hermetically sealed glass
case. DO – 35 outline.
LEAD MATERIAL:
Copper clad steel.
LEAD FINISH:
Tin / Lead
THERMAL RESISTANCE: (R
OJEC):
250 ˚C/W maximum
THERMAL IMPEDANCE: (ZO
JX): 35
˚C/W maximum
POLARITY:
Cathode end is banded.
MOUNTING POSITION:
ANY.
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
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