反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V @ 12.6A 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
| 包装说明 | SMB, 2 PIN |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY |
| 最大击穿电压 | 34.4 V |
| 最小击穿电压 | 31.1 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-214AA |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 3 W |
| 参考标准 | AEC-Q101 |
| 最大重复峰值反向电压 | 28 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |

| SMBJ28CAHM4G | SMBJ26AHM4G | SMBJ28CAHR5G | SMBJ16CA R5G | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | 反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V @ 12.6A 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A | 反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A | 反向关断电压(典型值):16V 击穿电压(最小值):17.8V 极性:Bidirectional 箝位电压:26V 峰值脉冲电流(10/1000us):24.2A | |
| 极性 | BIDIRECTIONAL | UNIDIRECTIONAL | BIDIRECTIONAL | Bidirectional |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | - |
| 厂商名称 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | - |
| 包装说明 | SMB, 2 PIN | SMB, 2 PIN | SMB, 2 PIN | - |
| Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | not_compliant | - |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | - |
| 其他特性 | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY | - |
| 最大击穿电压 | 34.4 V | 31.9 V | 34.4 V | - |
| 最小击穿电压 | 31.1 V | 28.9 V | 31.1 V | - |
| 配置 | SINGLE | SINGLE | SINGLE | - |
| 二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON | - |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | - |
| JEDEC-95代码 | DO-214AA | DO-214AA | DO-214AA | - |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 | R-PDSO-C2 | R-PDSO-C2 | - |
| JESD-609代码 | e3 | e3 | e3 | - |
| 湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | - |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W | 600 W | 600 W | - |
| 元件数量 | 1 | 1 | 1 | - |
| 端子数量 | 2 | 2 | 2 | - |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C | 150 °C | - |
| 最低工作温度 | -55 °C | -55 °C | -55 °C | - |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | - |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | - |
| 峰值回流温度(摄氏度) | 260 | 260 | 260 | - |
| 最大功率耗散 | 3 W | 3 W | 3 W | - |
| 参考标准 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | AEC-Q101 | - |
| 最大重复峰值反向电压 | 28 V | 26 V | 28 V | - |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | - |
| 技术 | AVALANCHE | AVALANCHE | AVALANCHE | - |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | - |
| 端子形式 | C BEND | C BEND | C BEND | - |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | - |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | 30 | 30 | - |
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