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SMBJ28CAHR5G

产品描述反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小222KB,共8页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SMBJ28CAHR5G概述

反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A

SMBJ28CAHR5G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMB, 2 PIN
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压34.4 V
最小击穿电压31.1 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散3 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压28 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMBJ SERIES
Taiwan Semiconductor
600W, 5V - 170V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
FEATURES
Ideal for automated placement
Glass passivated junction
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less than 1.0ps
Typical I
R
less than 1μA above 10V
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
AEC-Q101 qualified available:
ordering code with suffix “H”
● Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
KEY PARAMETERS
PARAMETER
V
WM
V
BR
(uni - directional)
V
BR
(bi - directional)
P
PK
T
J MAX
Package
Configuration
VALUE
5 - 170
6.4 – 231
6.4 – 231
600
150
UNIT
V
V
V
W
°C
DO-214AA (SMB)
Single Die
APPLICATIONS
● Switching mode power supply (SMPS)
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AA (SMB)
Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: As marked
Weight: 0.09 g (approximately)
DO-214AA (SMB)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Non-repetitive peak impulse power dissipation with
(1)
10/1000µs waveform
Steady state power dissipation at T
A
=25°C
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
for Uni-directional only
(2)
Forward Voltage @ I
F
=50A for Uni-directional only
Junction temperature
Storage temperature
Notes:
1.
2.
SYMBOL
P
PK
P
D
I
FSM
V
F
T
J
T
STG
VALUE
600
3
100
3.5 / 5.0
- 55 to +150
- 55 to +150
UNIT
W
W
A
V
°C
°C
Non-repetitive current pulse per Fig. 3 and derated above T
A
=25°C per Fig. 2
V
F
=3.5V on SMBJ5.0 - SMBJ90 devices and V
F
=5.0V on SMBJ100 - SMBJ170 devices
Devices for Bipolar Applications
1.
2.
For bidirectional use C or CA suffix for types SMBJ5.0 - types SMBJ170
Electrical characteristics apply in both directions
1
Version: P1812

SMBJ28CAHR5G相似产品对比

SMBJ28CAHR5G SMBJ26AHM4G SMBJ16CA R5G SMBJ28CAHM4G
描述 反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A 反向关断电压(典型值):16V 击穿电压(最小值):17.8V 极性:Bidirectional 箝位电压:26V 峰值脉冲电流(10/1000us):24.2A 反向关断电压(典型值):28V 击穿电压(最小值):31.1V 极性:Bidirectional 箝位电压:50V @ 12.6A 峰值脉冲电流(10/1000us):12.6A
极性 BIDIRECTIONAL UNIDIRECTIONAL Bidirectional BIDIRECTIONAL
是否Rohs认证 符合 符合 - 符合
厂商名称 Taiwan Semiconductor Taiwan Semiconductor - Taiwan Semiconductor
包装说明 SMB, 2 PIN SMB, 2 PIN - SMB, 2 PIN
Reach Compliance Code not_compliant not_compliant - not_compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 - EAR99
其他特性 EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY - EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压 34.4 V 31.9 V - 34.4 V
最小击穿电压 31.1 V 28.9 V - 31.1 V
配置 SINGLE SINGLE - SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON - SILICON
二极管类型 TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码 DO-214AA DO-214AA - DO-214AA
JESD-30 代码 R-PDSO-C2 R-PDSO-C2 - R-PDSO-C2
JESD-609代码 e3 e3 - e3
湿度敏感等级 1 1 - 1
最大非重复峰值反向功率耗散 600 W 600 W - 600 W
元件数量 1 1 - 1
端子数量 2 2 - 2
最高工作温度 150 °C 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C - -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE - SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) 260 260 - 260
最大功率耗散 3 W 3 W - 3 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101 - AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 28 V 26 V - 28 V
表面贴装 YES YES - YES
技术 AVALANCHE AVALANCHE - AVALANCHE
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) - Matte Tin (Sn)
端子形式 C BEND C BEND - C BEND
端子位置 DUAL DUAL - DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 30 30 - 30
nios 11.0版本编译问题
d:/alter/altera11.0/quartus/quartus/nios2eds/bin/gnu/h-i686-mingw32/bin/../lib/gcc/nios2-elf/4.1.2/../../../../nios2-elf/bin/ld.exe: uart.elf section `.text' will not fit in region ......
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