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CMPTA56

产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小97KB,共2页
制造商Central Semiconductor
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CMPTA56概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMPTA56规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Central Semiconductor
包装说明PLASTIC PACKAGE-3
针数3
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)50 MHz

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CMPTA06 NPN
CMPTA56 PNP
SURFACE MOUNT
COMPLEMENTARY
SILICON TRANSISTORS
Central
TM
Semiconductor Corp.
DESCRIPTION:
The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA06,
CMPTA56 types are complementary silicon
transistors manufactured by the epitaxial planar
process, epoxy molded in a surface mount
package, designed for small signal general
purpose and switching applications.
MARKING CODES: CMPTA06 : C1G
CMPTA56 : C2G
SOT-23 CASE
MAXIMUM RATINGS:
(TA=25°C)
SYMBOL
Collector-Base Voltage
Collector-Emitter Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current
Base Current
Peak Base Current
Power Dissipation
Operating and Storage
Junction Temperature
Thermal Resistance
VCBO
VCEO
VEBO
IC
IB
IBM
PD
TJ,Tstg
Θ
JA
80
80
4.0
500
100
200
350
-65 to +150
357
UNITS
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°C
°C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(TA=25°C unless otherwise noted)
SYMBOL
ICBO
ICBO
ICEO
BVCEO
BVEBO
VCE(SAT)
VBE(ON)
hFE
hFE
fT
fT
TEST CONDITIONS
VCB=80V
VCB=80V, TA=150°C
VCE=60V
IC=1.0mA
IE=100µA
IC=100mA, IB=10mA
VCE=1.0V, IC=100mA
VCE=1.0V,
VCE=1.0V,
VCE=2.0V,
IC=10mA
IC=100mA
IC=10mA, f=100MHz (CMPTA06)
MIN
MAX
100
20
100
80
4.0
0.25
1.20
100
100
100
50
UNITS
nA
µA
nA
V
V
V
V
MHz
MHz
VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz(CMPTA56)
R5 (13-November 2002)

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CMPTA56 CMPTA06
描述 SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 Central Semiconductor Central Semiconductor
包装说明 PLASTIC PACKAGE-3 PLASTIC PACKAGE-3
针数 3 3
Reach Compliance Code _compli _compli
ECCN代码 EAR99 EAR99
最大集电极电流 (IC) 0.5 A 0.5 A
集电极-发射极最大电压 80 V 80 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 100 100
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
JESD-609代码 e0 e0
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 PNP NPN
最大功率耗散 (Abs) 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 YES YES
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 50 MHz 100 MHz
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