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CMPTA06: 产品描述SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小97KB，共2页; 制造商Central Semiconductor

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CMPTA06概述

SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS

CMPTA06规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0
元件数量	1
端子数量	3
最高工作温度	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz

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CMPTA06 NPN

CMPTA56 PNP

SURFACE MOUNT

COMPLEMENTARY

SILICON TRANSISTORS

Central

Semiconductor Corp.

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPTA06,

CMPTA56 types are complementary silicon

transistors manufactured by the epitaxial planar

process, epoxy molded in a surface mount

package, designed for small signal general

purpose and switching applications.

MARKING CODES: CMPTA06 : C1G

CMPTA56 : C2G

SOT-23 CASE

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C)

SYMBOL

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Base Current

Peak Base Current

Power Dissipation

Operating and Storage

Junction Temperature

Thermal Resistance

VCBO

VCEO

VEBO

IBM

TJ,Tstg

4.0

500

100

200

350

-65 to +150

357

UNITS

°C

°C/W

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

(TA=25°C unless otherwise noted)

SYMBOL

ICBO

ICEO

BVCEO

BVEBO

VCE(SAT)

VBE(ON)

hFE

TEST CONDITIONS

VCB=80V

VCB=80V, TA=150°C

VCE=60V

IC=1.0mA

IE=100µA

IC=100mA, IB=10mA

VCE=1.0V, IC=100mA

VCE=1.0V,

VCE=2.0V,

IC=10mA

IC=100mA

IC=10mA, f=100MHz (CMPTA06)

MIN

MAX

100

4.0

0.25

1.20

100

UNITS

µA

MHz

VCE=1.0V, IC=100mA, f=100MHz(CMPTA56)

R5 (13-November 2002)

CMPTA06相似产品对比

	CMPTA06	CMPTA56
描述	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS	SURFACE MOUNT COMPLEMENTARY SILICON TRANSISTORS
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor
包装说明	PLASTIC PACKAGE-3	PLASTIC PACKAGE-3
针数	3	3
Reach Compliance Code	_compli	_compli
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.5 A	0.5 A
集电极-发射极最大电压	80 V	80 V
配置	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	100	100
JESD-30 代码	R-PDSO-G3	R-PDSO-G3
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	1	1
端子数量	3	3
最高工作温度	175 °C	175 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.35 W	0.35 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	100 MHz	50 MHz

推荐资源

器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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