漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,21A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道和P沟道 N沟道 40V 21A P沟道 -40V -16A MOS管阵列
参数名称 | 属性值 |
漏源电压(Vdss) | 40V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 16A,21A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 21W |
类型 | N沟道和P沟道 |
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