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P2804ND5G

产品描述漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,21A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道和P沟道 N沟道 40V 21A P沟道 -40V -16A MOS管阵列
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小244KB,共7页
制造商NIKO-SEM(尼克森)
官网地址http://www.niko-sem.com/
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P2804ND5G概述

漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):16A,21A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W 类型:N沟道和P沟道 N沟道 40V 21A P沟道 -40V -16A MOS管阵列

P2804ND5G规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)16A,21A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻28mΩ @ 7A,10V;48mΩ @ 5.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)21W
类型N沟道和P沟道

 
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