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NCEP0114AS

产品描述漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 NMOS,100V/14A,8.8mΩ;
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小444KB,共7页
制造商Wuxi NCE Power Semiconductor Co., Ltd
官网地址http://www.ncepower.com/
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NCEP0114AS概述

漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):14A 栅源极阈值电压:2.2V @ 250uA 漏源导通电阻:11mΩ @ 14A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):3.5W 类型:N沟道 NMOS,100V/14A,8.8mΩ;

NCEP0114AS规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)14A
栅源极阈值电压2.2V @ 250uA
漏源导通电阻11mΩ @ 14A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.5W
类型N沟道

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