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VP1008L: 产品描述Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小139KB，共4页; 制造商Atmel (Microchip)

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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,

	VP1008L	VP0808M
描述	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.28A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-226AA,	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.31A I(D), 80V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-237AA, TO-237, 3 PIN
厂商名称	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)
包装说明	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	80 V
最大漏极电流 (ID)	0.28 A	0.31 A
最大漏源导通电阻	5 Ω	5 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)	25 pF	25 pF
JEDEC-95代码	TO-226AA	TO-237AA
JESD-30 代码	O-PBCY-W3	O-PBCY-W3
元件数量	1	1
端子数量	3	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND	ROUND
封装形式	CYLINDRICAL	CYLINDRICAL
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO
端子形式	WIRE	WIRE
端子位置	BOTTOM	BOTTOM
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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