极性：Bidirectional 峰值脉冲电流（10/1000us）：30A 箝位电压：49.9V 击穿电压（最小值）：34.2V 反向关断电压（典型值）：30.8V 1500W 36V
| 参数名称 | 属性值 |
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | DO-201 |
| 包装说明 | O-PALF-W2 |
| 针数 | 2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 9 weeks |
| Samacsys Confidence | 3 |
| Samacsys Status | Released |
| Samacsys PartID | 179053 |
| Samacsys Pin Count | 2 |
| Samacsys Part Category | Diode |
| Samacsys Package Category | Diodes, Axial Diameter Horizontal Mounting |
| Samacsys Footprint Name | DO-201 |
| Samacsys Released Date | 2016-03-17 18:36:42 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | UL RECOGNIZED |
| 最大击穿电压 | 37.8 V |
| 最小击穿电压 | 34.2 V |
| 击穿电压标称值 | 36 V |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 最大钳位电压 | 64.3 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小二极管电容 | 1250 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JEDEC-95代码 | DO-201 |
| JESD-30 代码 | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 1500 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 175 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性 | BIDIRECTIONAL |
| 最大功率耗散 | 5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 30.8 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | AXIAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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