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UMT1NTN

产品描述额定功率:150mW 集电极电流Ic:150mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:2 PNP(双) Vceo=-50V,Ic=-150mA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小3MB,共9页
制造商ROHM(罗姆半导体)
官网地址https://www.rohm.com/
标准
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UMT1NTN在线购买

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UMT1NTN概述

额定功率:150mW 集电极电流Ic:150mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:2 PNP(双) Vceo=-50V,Ic=-150mA

UMT1NTN规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ROHM(罗姆半导体)
零件包装代码SC-88
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数6
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time13 weeks
Samacsys DescriptionROHM UMT1NTN Dual PNP Bipolar Transistor, 0.15 A, 50 V, 6-Pin UMT
最大集电极电流 (IC)0.15 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)120
JESD-30 代码R-PDSO-G6
JESD-609代码e2
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量6
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间10
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)140 MHz
VCEsat-Max0.5 V

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EMT1 / UMT1N / IMT1A
General purpose transistor (dual transistors)
l
Outline
Datasheet
Parameter
V
CEO
I
C
 
Tr1 and Tr2
-50V
-150mA
 
EMT6
UMT6
 
EMT1
SC-107C
SMT6
 
UMT1N
SOT-363
 
l
Features
1)Two 2SA1037AK chips in a EMT, UMT or
 
SMT package.
2)Mounting possible with EMT3, UMT3 or
 
SMT3automatic mounting machines.
3)Transistor elements are independent,
 
eliminating interference.
4)Mounting cost and area can be cut in half.
 
 
IMT1A
SOT-457
     
               
 
 
 
l
Inner circuit
EMT1 / UMT1N
IMT1A
l
Application
GENERAL PURPOSE SMALL SIGNAL AMPLIFIER
l
Packaging specifications
     
     
Part No.
EMT1
UMT1N
IMT1A
Package
EMT6
UMT6
SMT6
Package
size
1616
2021
2928
 
Taping
code
T2R
TN
T110
 
Reel size Tape width
(mm)
(mm)
180
180
180
 
Basic
ordering
unit.(pcs)
8000
3000
3000
 
Marking
T1
T1
T1
 
8
8
8
 
                                                                                         
www.rohm.com
© 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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