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NTGS4111PT1G: 产品描述漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.7A,68mΩ@-4.5V; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小119KB，共6页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn

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漏源电压（Vdss）：30V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.6A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：60mΩ @ 3.7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：630mW 类型：P沟道 P沟道,-30V,-4.7A,68mΩ@-4.5V

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ