存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.8V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 10 weeks |
| 其他特性 | 200 YEARS DATA RETENTION |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
| 数据保留时间-最小值 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010MDDR |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 长度 | 4.9 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 8 |
| 字数 | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 电源 | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 串行总线类型 | I2C |
| 最大待机电流 | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.005 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
| 写保护 | HARDWARE |
| Base Number Matches | 1 |
| 24FC1025-I/SN | 24LC1025T-E/SN16KVAO | 24LC1025-E/SN16KVAO | 24LC1025T-I/SM | 24LC1025-I/SM | 24FC1025T-I/SN | 24FC1025-I/SM | 24AA1025-I/SM | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.8V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile | EEPROM, 128KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | EEPROM, 128KX8, Serial, CMOS, PDSO8 | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：2.5V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile 1Mb | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：2.5V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.8V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile 1Mbit(128K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.8V to 5.5V | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.8V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile | 存储器接口类型：I2C 存储器容量：1Mb (128K x 8) 工作电压：1.7V ~ 5.5V 存储器类型：Non-Volatile 1-Mbit(128K x 8bit)，I2C接口，工作电压：1.7V to 5.5V |
| 厂商名称 | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) | Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | SOP, | SOP, | 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8 | 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8 | 3.90 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIC-8 | 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8 | 5.28 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SOIJ-8 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant | compliant |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 0.4 MHz | 1 MHz | 1 MHz | 0.4 MHz |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 | R-PDSO-G8 |
| 长度 | 4.9 mm | 4.9 mm | 4.9 mm | 5.26 mm | 5.26 mm | 4.9 mm | 5.26 mm | 5.26 mm |
| 内存密度 | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit | 1048576 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 字数 | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words | 131072 words |
| 字数代码 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 | 128000 |
| 工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 85 °C | 125 °C | 125 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
| 组织 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 | 128KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP | SOP | SOP | SOP | SOP | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
| 座面最大高度 | 1.75 mm | 1.75 mm | 1.75 mm | 2.03 mm | 2.03 mm | 1.75 mm | 2.03 mm | 2.03 mm |
| 串行总线类型 | I2C | I2C | I2C | I2C | I2C | I2C | I2C | I2C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 5 V | 5 V | 3 V | 3 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
| 表面贴装 | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | INDUSTRIAL | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL | DUAL |
| 宽度 | 3.9 mm | 3.9 mm | 3.9 mm | 5.25 mm | 5.25 mm | 3.9 mm | 5.25 mm | 5.25 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
| Base Number Matches | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 是否无铅 | 不含铅 | - | - | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | - | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC | - | - | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC | SOIC |
| 针数 | 8 | - | - | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| ECCN代码 | EAR99 | - | - | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 10 weeks | - | - | 9 weeks | 6 weeks | 10 weeks | 5 weeks | 9 weeks |
| 其他特性 | 200 YEARS DATA RETENTION | - | - | 200 YEARS DATA RETENTION | 200 YEARS DATA RETENTION | 200 YEARS DATA RETENTION | 200 YEARS DATA RETENTION | 200 YEARS DATA RETENTION |
| 数据保留时间-最小值 | 200 | - | - | 200 | 200 | 200 | 200 | 200 |
| 耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | - | - | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
| I2C控制字节 | 1010MDDR | - | - | 1010MDDR | 1010MDDR | 1010MDDR | 1010MDDR | 1010MDDR |
| JESD-609代码 | e3 | - | - | e3 | e3 | e3 | e3 | e3 |
| 湿度敏感等级 | 1 | - | - | 3 | 1 | 3 | 1 | 1 |
| 封装等效代码 | SOP8,.25 | - | - | SOP8,.3 | SOP8,.3 | SOP8,.25 | SOP8,.3 | SOP8,.3 |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | - | - | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | NOT SPECIFIED | 260 |
| 电源 | 2/5 V | - | - | 3/5 V | 3/5 V | 2/5 V | 2/5 V | 2/5 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | 0.000005 A | - | - | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A | 0.000005 A |
| 最大压摆率 | 0.005 mA | - | - | 0.005 mA | 0.005 mA | 0.005 mA | 0.005 mA | 0.005 mA |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed | - | - | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) - annealed | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | - | - | 40 | NOT SPECIFIED | 40 | NOT SPECIFIED | 40 |
| 写保护 | HARDWARE | - | - | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE | HARDWARE |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
