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KRA106S-RTK/P

产品描述额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW,内置偏压电阻
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小1011KB,共6页
制造商KEC
官网地址http://www.keccorp.com/
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KRA106S-RTK/P概述

额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW,内置偏压电阻

KRA106S-RTK/P规格参数

参数名称属性值
厂商名称KEC
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
其他特性BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 10
最大集电极电流 (IC)0.1 A
集电极-发射极最大电压50 V
配置SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)80
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)200 MHz

KRA106S-RTK/P相似产品对比

KRA106S-RTK/P KRA104S-RTK/P KRA103S-RTK/P KRA101S-RTK/P KRA105S-RTK/P KRA102S-RTK/P KRA101S-RTK
描述 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW,内置偏压电阻 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vo=-50V,Io=-100mA 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=22K R2=22K 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW,内置偏压电阻 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP,Vceo=-50V,IC=-100mA,PD=200mW,内置偏压电阻 额定功率:200mW 集电极电流Ic:100mA 集射极击穿电压Vce:50V 晶体管类型:PNP - 预偏压 PNP Vo=-50V Io=-0.1A PD=0.2W R1=10K R2=10K Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN
额定功率 - 200mW 200mW 200mW 200mW 200mW -
集电极电流Ic - 100mA 100mA 100mA 100mA 100mA -
集射极击穿电压Vce - 50V 50V 50V 50V 50V -
晶体管类型 - PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 PNP - 预偏压 -

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