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BSC13DN30NSFDATMA1: 产品描述漏源电压（Vdss）：300V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,300V,16A,130mΩ@10V; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共11页; 制造商Infineon(英飞凌); 官网地址http://www.infineon.com/; 标准

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漏源电压（Vdss）：300V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,300V,16A,130mΩ@10V

	BSC13DN30NSFDATMA1	BSC13DN30NSFD
描述	漏源电压（Vdss）：300V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 90uA 漏源导通电阻：130mΩ @ 16A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,300V,16A,130mΩ@10V	New OptiMOS™ Fast Diode (FD), Infineon’s latest generation of power MOSFETs in 200V, 250V and 300V is optimized for body diode hard commutation. The new devices are the perfect choice for hard switching applications such as telecom, industrial power supplies, Class D audio amplifiers, motor control and DC-AC inverter.

器件捷径: 00 01 02 03 04 05 06 07 08 09 0A 0C 0F 0J 0L 0M 0R 0S 0T 0Z 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 1A 1B 1C 1D 1E 1F 1H 1K 1M 1N 1P 1S 1T 1V 1X 1Z 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 2A 2B 2C 2D 2E 2F 2G 2K 2M 2N 2P 2Q 2R 2S 2T 2W 2Z 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 3A 3B 3C 3D 3E 3F 3G 3H 3J 3K 3L 3M 3N 3P 3R 3S 3T 3V 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 4A 4B 4C 4D 4M 4N 4P 4S 4T 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 5A 5B 5C 5E 5G 5H 5K 5M 5N 5P 5S 5T 5V 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 6A 6C 6E 6F 6M 6N 6P 6R 6S 6T 70 71 72 73 74 75 76 77 78 79 7A 7B 7C 7M 7N 7P 7Q 7V 7W 7X 80 81 82 83 84 85 86 87 88 89 8A 8D 8E 8L 8N 8P 8S 8T 8W 8Y 8Z 90 91 92 93 94 95 96 97 98 99 9A 9B 9C 9D 9F 9G 9H 9L 9S 9T 9W