漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7.3A
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| Factory Lead Time | 1 week |
| Samacsys Description | MOSFET N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3 |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 230 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 32 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21.9 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| SPA07N60C3 | SPP07N60C3 | |
|---|---|---|
| 描述 | 漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 250uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7.3A | 漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7.3A(Tc) 栅源极阈值电压：3.9V @ 350uA 漏源导通电阻：600mΩ @ 4.6A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：83W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,7.3A,0.6Ω@10V |
| 是否无铅 | 不含铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Infineon(英飞凌) | Infineon(英飞凌) |
| 零件包装代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | TO-220, 3 PIN |
| 针数 | 3 | 3 |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| Factory Lead Time | 1 week | 1 week |
| 其他特性 | AVALANCHE RATED | AVALANCHE RATED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 230 mJ | 230 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED | DRAIN |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 600 V | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 4.3 A | 7.3 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 7.3 A | 7.3 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.6 Ω | 0.6 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB | TO-220AB |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 | R-PSFM-T3 |
| 元件数量 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 3 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 32 W | 83 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 21.9 A | 21.9 A |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO | NO |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON | SILICON |
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