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IRF7351TRPBF

产品描述漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:4V @ 50uA 漏源导通电阻:17.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小275KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
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IRF7351TRPBF在线购买

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IRF7351TRPBF概述

漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):8A 栅源极阈值电压:4V @ 50uA 漏源导通电阻:17.8mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:双N沟道 双N沟道,60V,8A,17.8mΩ@10V

IRF7351TRPBF规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明LEAD FREE, SOP-8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time15 weeks
Samacsys DescriptionIRF7351TRPBF Dual N-Channel MOSFET, 8 A, 60 V HEXFET, 8-Pin SOIC Infineon
雪崩能效等级(Eas)325 mJ
配置SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)8 A
最大漏极电流 (ID)8 A
最大漏源导通电阻0.0178 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码MS-012AA
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
元件数量2
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)64 A
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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