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BAV21WS-7-F: 产品描述反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW; 产品类别分立半导体开关二极管; 文件大小391KB，共5页; 制造商Diodes; 官网地址http://www.diodes.com/

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反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW

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描述	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：200V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 200V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：150V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA 150V,200mA,trr=50ns,VF=1.25V@200mA,PD=200mW	反向恢复时间（trr）：50ns 直流反向耐压（Vr）：100V 平均整流电流（Io）：200mA 正向压降（Vf）：1.25V @ 200mA -		Rectifier Diode, 1 Element, 0.2A, 250V V(RRM), Silicon,
反向恢复时间（trr）	50ns	50ns	50ns	50ns	-	-
直流反向耐压（Vr）	200V	100V	150V	100V	-	-
平均整流电流（Io）	200mA	200mA	200mA	200mA	-	-
正向压降（Vf）	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	1.25V @ 200mA	-	-

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关于6410+WinCE6.0开机界面logo的问题: 关于开机logo一般有两种实现方法：方法一：以头文件的形式打包在EBOOT.bin中，但是该方法往往导致EBOT.bin太大；方法二：将bmp转换成bin文件，烧写在NandFlash某个固定的地址，Eboot运行时读取该地址内容，放入显示缓冲里实现。第一种方法在此不讨论，关于第二种方法，刚开始做就遇到问题，（我用的是UT-6410），问题如下：1、在image_cfg中有以下配置：#define...; trason WindowsCE

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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