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AO4620

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.2A,5.3A 栅源极阈值电压:2.6V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 7.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小298KB,共7页
制造商AOS
官网地址http://www.aosmd.com
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AO4620概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):7.2A,5.3A 栅源极阈值电压:2.6V @ 250uA 漏源导通电阻:24mΩ @ 7.2A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 类型:N沟道和P沟道

AO4620规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)7.2A,5.3A
栅源极阈值电压2.6V @ 250uA
漏源导通电阻24mΩ @ 7.2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)2W
类型N沟道和P沟道

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